Uimhir Táirge Déantóra:
IXFT16N120P
Product Overview
Déantóir:
IXYS
Uimhir Páirte:
IXFT16N120P-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Stoc:
97 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12911448
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IXFT16N120P Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Littelfuse
Pacáistiú
Tube
Sraith
HiPerFET™, Polar
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
1200 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
16A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
6.5V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
660W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-268AA
Pacáiste / Cás
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Bunuimhir Táirge
IXFT16
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
30
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IRF634L
MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK
SI7186DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
IRF540
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
