Uimhir Táirge Déantóra:
SPB18P06PGATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
SPB18P06PGATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Stoc:
2030 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13064319
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SPB18P06PGATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
SIPMOS®
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Stádas Páirte
Active
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
60 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
18.7A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
860 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
81.1W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
SPB18P06
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PGINDKR-ND
SPB18P06PGINDKR
SPB18P06PGINTR-ND
SPB18P06PGXT
SPB18P06PGINCT-ND
SPB18P06PGATMA1CT
SPB18P06PGINCT
SPB18P06PGATMA1TR
SPB18P06PGATMA1DKR
2156-SPB18P06PGATMA1
IFEINFSPB18P06PGATMA1
SPB18P06P G
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
