Uimhir Táirge Déantóra:
IPP60R099P7XKSA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPP60R099P7XKSA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Stoc:
1904 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12803485
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPP60R099P7XKSA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tube
Sraith
CoolMOS™ P7
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
31A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 530µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1952 pF @ 400 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
117W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO220-3
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
IPP60R099
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
IPP60R099P7XKSA1-DG
448-IPP60R099P7XKSA1
SP001647032
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
