Uimhir Táirge Déantóra:
IPN80R2K0P7ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 6.4W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Stoc:
12803654
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPN80R2K0P7ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™ P7
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
3A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 50µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
175 pF @ 500 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
6.4W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA
Bunuimhir Táirge
IPN80R2
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
IPN80R2K0P7ATMA1CT
IPN80R2K0P7ATMA1DKR
SP001664996
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
IPN80R2K0P7ATMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
