Uimhir Táirge Déantóra:
IPN60R1K0CEATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Stoc:
12818273
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPN60R1K0CEATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™ CE
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
6.8A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 130µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
280 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
5W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-40°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223-3
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA
Bunuimhir Táirge
IPN60R1
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
CSD18502KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
IRF6629TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK