Uimhir Táirge Déantóra:
IPDD60R190G7XTMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPDD60R190G7XTMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Stoc:
167 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800915
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPDD60R190G7XTMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™ G7
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
13A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 210µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
718 pF @ 400 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
76W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-HDSOP-10-1
Pacáiste / Cás
10-PowerSOP Module
Bunuimhir Táirge
IPDD60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,700
Ainmneacha Eile
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3