Uimhir Táirge Déantóra:
IPD80R600P7ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD80R600P7ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
5056 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12805043
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD80R600P7ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™ P7
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
8A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 170µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
570 pF @ 500 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
60W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD80R600
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
SP001644246
IPD80R600P7ATMA1DKR
IPD80R600P7ATMA1TR
IPD80R600P7ATMA1CT
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPI530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
IRFR3707ZTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
IPA060N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
