Uimhir Táirge Déantóra:
IPD80R1K4CEATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD80R1K4CEATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
12801213
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD80R1K4CEATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
3.9A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.9V @ 240µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
570 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
63W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD80R1
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
SP001130972
IPD80R1K4CEATMA1-DG
IPD80R1K4CEATMA1TR
IPD80R1K4CEATMA1CT
IPD80R1K4CEATMA1DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
STD5N62K3
DEIRMHEACH
STMicroelectronics
CANTAR DISPONIBLE
2481
DiGi PART NUMBER
STD5N62K3-DG
PRAGHAS AONAD
0.42
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
Teastas DIGI
Related Products
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
