Uimhir Táirge Déantóra:
IPD60R3K3C6ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
4490 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12803158
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD60R3K3C6ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolMOS™ C6
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
1.7A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 40µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
93 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
18.1W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD60R
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD60R3K3C6ATMA1DKR
IPD60R3K3C6ATMA1CT
2156-IPD60R3K3C6ATMA1
SP001117718
INFINFIPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPP042N03LGHKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IRFS4310TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IRFHM4234TRPBF
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
