Uimhir Táirge Déantóra:
IPD60R2K1CEBTMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD60R2K1CEBTMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
12801317
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD60R2K1CEBTMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
CoolMOS™ CE
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
2.3A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 60µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
140 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
22W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-40°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD60R
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD60R2K1CEBTMA1CT
SP001276038
IPD60R2K1CEBTMA1DKR
IPD60R2K1CEBTMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
3 (168 Hours)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IPD60R2K1CEAUMA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
10286
DiGi PART NUMBER
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
PRAGHAS AONAD
0.17
TÍP AIONTUITHE
Direct
Teastas DIGI
Related Products
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
IPD60R380C6
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
