Uimhir Táirge Déantóra:
IPD30N12S3L31ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 120 V 30A (Tc) 57W Surface Mount PG-TO252-3-11
Stoc:
1002 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12804543
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD30N12S3L31ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS®-T
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
120 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
30A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.4V @ 29µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1970 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
57W
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grád
Automotive
Cáilíocht
AEC-Q101
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3-11
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD30N12
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
448-IPD30N12S3L31ATMA1CT
448-IPD30N12S3L31ATMA1DKR
448-IPD30N12S3L31ATMA1TR
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
SP001398654
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IRF3000PBF
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF7807ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFZ46NSPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
