Uimhir Táirge Déantóra:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD30N06S215ATMA2-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Stoc:
4675 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12804172
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD30N06S215ATMA2 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
55 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
30A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 80µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
136W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3-11
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD30N06
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO262
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
