Uimhir Táirge Déantóra:
IPD200N15N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD200N15N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
51180 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800664
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD200N15N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
150 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
50A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 90µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
150W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD200
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD200N15N3GATMA1CT
IPD200N15N3GATMA1TR
IPD200N15N3GATMA1DKR
SP001127820
IPD200N15N3GATMA1-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
BUZ31L
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
IPA60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
