IPD068N10N3GATMA1
Uimhir Táirge Déantóra:

IPD068N10N3GATMA1

Product Overview

Déantóir:

Infineon Technologies

Uimhir Páirte:

IPD068N10N3GATMA1-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Stoc:

10507 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13064013
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

IPD068N10N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sraith
OptiMOS™
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Stádas Páirte
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
90A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 90µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
150W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD068

Ríomhleabhar & Doiciméid

Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
infineon-technologies

IPB65R045C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

infineon-technologies

IPD530N15N3GBTMA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

infineon-technologies

IPB45N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

infineon-technologies

IPW60R041C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3