Uimhir Táirge Déantóra:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
12848574
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD053N06N3GBTMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
60 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
90A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 58µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
115W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD053N
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
FDD86540
DEIRMHEACH
onsemi
CANTAR DISPONIBLE
5000
DiGi PART NUMBER
FDD86540-DG
PRAGHAS AONAD
0.95
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
Teastas DIGI
Related Products
FQI5N50CTU
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
