Uimhir Táirge Déantóra:

IPC313N10N3RX1SA2

Product Overview

Déantóir:

Infineon Technologies

Uimhir Páirte:

IPC313N10N3RX1SA2-DG

Cur síos:

TRENCH >=100V

Cur Síos Mionsonraithe:

N-Channel 100 V Surface Mount Die

Stoc:

Gníomh RFQ Ar Líne

12988995

Request Quote

Líon
Íoslaghdú 1

(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.

SUBMIT

IPC313N10N3RX1SA2 Saintréithe Teicniúla

Catagóir

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Déantóir

Infineon Technologies

Pacáistiú

Tape & Reel (TR)

Sraith

OptiMOS™ 3

Stádas Táirge

Active

Cineál FET

N-Channel

Teicneolaíocht

MOSFET (Metal Oxide)

Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)

100 V

Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C

-

voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id

3.5V @ 275µA

Vgs (Uasmhéid)

-

Gné FET

-

Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)

-

Teocht Oibriúcháin

-

Cineál Gléasta

Surface Mount

Pacáiste Gléas Soláthraí

Die

Pacáiste / Cás

Die

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach

4,250

Ainmneacha Eile

448-IPC313N10N3RX1SA2TR

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS

ROHS3 Compliant

Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)

Not Applicable

Stádas REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUSName

8541.29.0040

Teastas DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Related Products

CMS3400-HF

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

infineon-technologies

IMT65R030M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

utd-semiconductor

100N03A

TO-252 MOSFETS ROHS

utd-semiconductor

40N06

TO-252 MOSFETS ROHS