Uimhir Táirge Déantóra:
IPB80P04P407ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB80P04P407ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Stoc:
12804013
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB80P04P407ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
40 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
80A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 150µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
6085 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
88W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grád
Automotive
Cáilíocht
AEC-Q101
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB80P
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB80P04P407ATMA1-DG
SP000842038
448-IPB80P04P407ATMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IPB80P04P407ATMA2
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
1904
DiGi PART NUMBER
IPB80P04P407ATMA2-DG
PRAGHAS AONAD
0.97
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
IPW60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
IPP65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
IRFS38N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
