Uimhir Táirge Déantóra:
IPB80N06S209ATMA2
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB80N06S209ATMA2-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Stoc:
912 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12804992
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB80N06S209ATMA2 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
55 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
80A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 125µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
190W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB80N
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB80N06S209ATMA2-DG
SP001061716
2156-IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2CT
IFEINFIPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2DKR
IPB80N06S209ATMA2TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
BUK9612-55B,118
DEIRMHEACH
Nexperia USA Inc.
CANTAR DISPONIBLE
16996
DiGi PART NUMBER
BUK9612-55B,118-DG
PRAGHAS AONAD
0.73
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
Teastas DIGI
Related Products
IRF3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB
IRF4905SPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
