Uimhir Táirge Déantóra:
IPB70N10S312ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB70N10S312ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Stoc:
764 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800860
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB70N10S312ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
70A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 83µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4355 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
125W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB70N10
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB70N10S312ATMA1TR
IPB70N10S3-12
IPB70N10S3-12INTR
SP000261246
IPB70N10S3-12INCT-DG
IPB70N10S312ATMA1CT
IPB70N10S312ATMA1DKR
IPB70N10S3-12INTR-DG
IPB70N10S312
IPB70N10S3-12INDKR-DG
IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INDKR
IPB70N10S3-12-DG
2156-IPB70N10S312ATMA1TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
BSS169L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
