Uimhir Táirge Déantóra:
IPB35N12S3L26ATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB35N12S3L26ATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Stoc:
12846762
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB35N12S3L26ATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
120 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
35A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.4V @ 39µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
71W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grád
Automotive
Cáilíocht
AEC-Q101
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IP35N
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
SP001398600
INFINFIPB35N12S3L26ATMA1
2156-IPB35N12S3L26ATMA1
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
FQU5N40TU
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
FQA12P20
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
NTR0202PLT3G
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
