Uimhir Táirge Déantóra:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Stoc:
5151 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12803619
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB081N06L3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
60 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
50A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.2V @ 34µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
79W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB081
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IPP77N06S212AKSA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
