Uimhir Táirge Déantóra:
IPB054N08N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB054N08N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Stoc:
2888 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800290
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB054N08N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
80 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
80A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 90µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
150W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB054
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7