Uimhir Táirge Déantóra:
IPB036N12N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB036N12N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 120 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Stoc:
1060 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800604
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB036N12N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
120 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
180A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 270µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-7
Pacáiste / Cás
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Bunuimhir Táirge
IPB036
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB036N12N3 GDKR-DG
SP000675204
IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 GTR
IPB036N12N3 GTR-DG
IPB036N12N3 G-DG
IPB036N12N3 GCT
IPB036N12N3GATMA1DKR
IPB036N12N3 GCT-DG
IPB036N12N3GATMA1CT
IPB036N12N3GATMA1TR
IPB036N12N3 GDKR
IPB036N12N3G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
