Uimhir Táirge Déantóra:
IPB020NE7N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB020NE7N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Stoc:
6904 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12801084
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB020NE7N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™ 3
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
75 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
120A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.8V @ 273µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
IPB020
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
IPB020NE7N3 GCT-DG
SP000676950
IPB020NE7N3GATMA1CT
IPB020NE7N3 G-DG
IPB020NE7N3 GTR-DG
IPB020NE7N3GATMA1DKR
IPB020NE7N3 GCT
2156-IPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3 GDKR
IPB020NE7N3 GDKR-DG
IPB020NE7N3 G
IPB020NE7N3GATMA1TR
IFEINFIPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER
IPB65R110CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
IPA65R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220
