Uimhir Táirge Déantóra:
IPB017N06N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPB017N06N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Stoc:
9000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800328
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPB017N06N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
60 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
180A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 196µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
23000 pF @ 30 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
250W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO263-7
Pacáiste / Cás
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Bunuimhir Táirge
IPB017
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
SP000434404
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3G
IPB017N06N3 GCT
IPB017N06N3 GCT-DG
IPB017N06N3 G-DG
IPB017N06N3GATMA1DKR
IPB017N06N3 GTR-DG
IPB017N06N3GATMA1TR
IPB017N06N3 GDKR
IPB017N06N3 GTR
IPB017N06N3GATMA1CT
IPB017N06N3 GDKR-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
BSF045N03MQ3 G
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON
IPC045N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
