Uimhir Táirge Déantóra:
IMT65R107M1HXUMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IMT65R107M1HXUMA1-DG
Cur síos:
SILICON CARBIDE MOSFET
Cur Síos Mionsonraithe:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Stoc:
1950 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12989069
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IMT65R107M1HXUMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
CoolSiC™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
-
Teicneolaíocht
SiCFET (Silicon Carbide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
650 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
-
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
-
Vgs (Uasmhéid)
-
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
-
Teocht Oibriúcháin
-
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-HSOF-8-1
Pacáiste / Cás
8-PowerSFN
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,000
Ainmneacha Eile
448-IMT65R107M1HXUMA1TR
448-IMT65R107M1HXUMA1DKR
SP005716854
448-IMT65R107M1HXUMA1CT
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
Not Applicable
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
DMN3030LFG-13
DMN3030LFG-13
MCU95N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK
SI0301-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
