Uimhir Táirge Déantóra:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Stoc:
12801032
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
BSP322PL6327HTSA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
SIPMOS®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
1A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1V @ 380µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
372 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.8W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223-4-21
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
BSP322PH6327XTSA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
3053
DiGi PART NUMBER
BSP322PH6327XTSA1-DG
PRAGHAS AONAD
0.28
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3