BSP129L6327HTSA1
Uimhir Táirge Déantóra:

BSP129L6327HTSA1

Product Overview

Déantóir:

Infineon Technologies

Uimhir Páirte:

BSP129L6327HTSA1-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Stoc:

12847908
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

BSP129L6327HTSA1 Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
SIPMOS®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
240 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
350mA (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1V @ 108µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
108 pF @ 25 V
Gné FET
Depletion Mode
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.8W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223-4-21
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA

Ríomhleabhar & Doiciméid

Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095

Móidail Aiteacha

UIMHIR CODA
BSP129H6327XTSA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
4926
DiGi PART NUMBER
BSP129H6327XTSA1-DG
PRAGHAS AONAD
0.29
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
onsemi

NTMS5835NLR2G

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

onsemi

FDA33N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN

onsemi

HUF76633S3ST

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

FDA24N50F

MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN