Uimhir Táirge Déantóra:
BSP123L6327HTSA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
BSP123L6327HTSA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Stoc:
12800677
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
BSP123L6327HTSA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
SIPMOS®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
370mA (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.8V @ 50µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
70 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.79W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-SOT223-4
Pacáiste / Cás
TO-261-4, TO-261AA
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1,000
Ainmneacha Eile
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPP084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
