Uimhir Táirge Déantóra:
BSC018NE2LSIATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
BSC018NE2LSIATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Stoc:
9750 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12798661
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
BSC018NE2LSIATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
25 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2500 pF @ 12 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TDSON-8-6
Pacáiste / Cás
8-PowerTDFN
Bunuimhir Táirge
BSC018
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
5,000
Ainmneacha Eile
BSC018NE2LSIATMA1TR
BSC018NE2LSI-DG
BSC018NE2LSIDKR-DG
INFINFBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1DKR
BSC018NE2LSICT-DG
BSC018NE2LSIDKR
BSC018NE2LSITR-DG
BSC018NE2LSIATMA1CT
SP000906030
BSC018NE2LSI
2156-BSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSICT
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
