Uimhir Táirge Déantóra:
BSC018NE2LSATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
BSC018NE2LSATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Stoc:
11357 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12798548
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
BSC018NE2LSATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
25 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2800 pF @ 12 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TDSON-8-1
Pacáiste / Cás
8-PowerTDFN
Bunuimhir Táirge
BSC018
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
5,000
Ainmneacha Eile
SP000756336
BSC018NE2LSCT-DG
BSC018NE2LS-DG
BSC018NE2LSATMA1DKR
BSC018NE2LSATMA1TR
BSC018NE2LSTR-DG
BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSDKR-DG
BSC018NE2LSATMA1CT
BSC018NE2LS
BSC018NE2LSDKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
AUIRF3007
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
