BSC010NE2LSATMA1
Uimhir Táirge Déantóra:

BSC010NE2LSATMA1

Product Overview

Déantóir:

Infineon Technologies

Uimhir Páirte:

BSC010NE2LSATMA1-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Stoc:

19280 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12802025
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

BSC010NE2LSATMA1 Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
25 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4700 pF @ 12 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TDSON-8-7
Pacáiste / Cás
8-PowerTDFN
Bunuimhir Táirge
BSC010

Ríomhleabhar & Doiciméid

Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
5,000
Ainmneacha Eile
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
infineon-technologies

BSS159NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

texas-instruments

CSD17579Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

infineon-technologies

AUIRF2805

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

epc

EPC2053

GANFET N-CH 100V 48A DIE