FDG311N
Uimhir Táirge Déantóra:

FDG311N

Product Overview

Déantóir:

Fairchild Semiconductor

Uimhir Páirte:

FDG311N-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Stoc:

65240 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12946841
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

FDG311N Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Pacáistiú
Bulk
Sraith
PowerTrench®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
20 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
1.9A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Uasmhéid)
±8V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
270 pF @ 10 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
750mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
SC-88 (SC-70-6)
Pacáiste / Cás
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
1,466
Ainmneacha Eile
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8542.39.0001
Teastas DIGI
Related Products
stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN

fairchild-semiconductor

FDS8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6