Uimhir Táirge Déantóra:
FDB8896
Product Overview
Déantóir:
Fairchild Semiconductor
Uimhir Páirte:
FDB8896-DG
Cur síos:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Stoc:
15952 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12947158
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
FDB8896 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Pacáistiú
Bulk
Sraith
PowerTrench®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
30 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
19A (Ta), 93A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2525 pF @ 15 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
80W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-263 (D2PAK)
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
330
Ainmneacha Eile
ONSFSCFDB8896
2156-FDB8896
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
ECCN
EAR99
HTSUSName
8542.39.0001
Teastas DIGI
Related Products
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
OP540/BD/C3,027
OP540/BD - CUSTOM MOSFET
IRF8304MTRPBF
IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
