Uimhir Táirge Déantóra:
FDB8444
Product Overview
Déantóir:
Fairchild Semiconductor
Uimhir Páirte:
FDB8444-DG
Cur síos:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Stoc:
167141 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12947223
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
FDB8444 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Pacáistiú
Bulk
Sraith
PowerTrench®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
40 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
70A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
8035 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
167W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-263 (D2PAK)
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
264
Ainmneacha Eile
2156-FDB8444
FAIFSCFDB8444
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
ECCN
EAR99
HTSUSName
8542.39.0001
Teastas DIGI
Related Products
FDP10N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
HUF75542P3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
